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Samsung y SK Hynix modernizan fábricas en China para chips de IA, pese a restricciones de EEUU

Samsung y SK Hynix buscan fabricar memorias NAND de hasta 286 capas en China para competir en el mercado de IA, enfrentando restricciones de exportación de EEUU y el avance de YMTC.

Fuente original: Ámbito Tecnología·21 de octubre de 2026·Hace 9h·4 min de lecturaNeutral
Samsung y SK Hynix modernizan fábricas en China para chips de IA, pese a restricciones de EEUU
Imagen ilustrativa

Las claves de la nota

  • Samsung y SK Hynix modernizan fábricas en China.
  • Buscan producir memorias NAND de más de 200 capas.
  • Enfrentan restricciones de exportación de EEUU.
  • Competencia con YMTC en el mercado de IA.
  • Potencial impacto en la cadena de suministro global.

Resumen elaborado con inteligencia artificial a partir de la nota de Ámbito Tecnología.

Las gigantes surcoreanas Samsung Electronics y SK Hynix están impulsando la modernización de sus plantas de semiconductores en China. El objetivo principal es mejorar la capacidad de producción de chips de memoria NAND, elevando la tecnología a más de 200 capas, similar a sus instalaciones en Corea del Sur. Esta estrategia responde a la creciente competencia local, especialmente de Yangtze Memory Technologies Co (YMTC), y a la fuerte demanda global impulsada por la inteligencia artificial.

Sin embargo, estos planes se desarrollan en un contexto complejo, marcado por las estrictas restricciones de exportación impuestas por Estados Unidos desde 2022. Ambas compañías deben obtener licencias anuales de Washington para adquirir equipos de fabricación avanzados, lo que limita su margen de maniobra y ha favorecido el crecimiento de YMTC. A pesar de estas limitaciones, Samsung y SK Hynix confirmaron a Reuters que están avanzando con las actualizaciones, manteniendo una comunicación constante con el gobierno estadounidense.

Samsung, en particular, busca adaptar su planta de Xi'an para producir memorias NAND V9 de 286 capas. Se estima que esta instalación, que hoy produce chips de unas 200 capas y representa el 40% de la producción mundial de NAND de la compañía, podría alcanzar una producción mensual de 5.000 obleas para fines de 2024 y 40.000 para fines de 2027. La empresa asegura que estas mejoras cumplen con las normativas de control de exportaciones de EEUU y buscan satisfacer la demanda global sin ampliar la capacidad de producción ni construir nuevas instalaciones.

Por su parte, SK Hynix planea incrementar la producción de memorias NAND de 240 capas o más en su planta de Dalian. Actualmente, esta fábrica, adquirida a Intel, produce chips de 192 capas. La compañía ya cuenta con autorización para fabricar chips de hasta 240 capas y podría solicitar permisos para investigación y desarrollo de memorias de más de 300 capas, preparando el terreno para una futura producción en Estados Unidos. Paralelamente, SK Hynix mantiene conversaciones para construir una nueva fábrica en territorio estadounidense.

La importancia de estas memorias NAND radica en su capacidad para almacenar datos sin energía y su uso en dispositivos como smartphones, PCs y unidades de estado sólido (SSD), cruciales para centros de datos de IA. A mayor número de capas, mayor capacidad de almacenamiento y menor costo por unidad. La modernización en China por parte de Samsung y SK Hynix es un movimiento clave para mantener su competitividad global frente a YMTC, navegando un delicado equilibrio regulatorio internacional.

Nota completa en Ámbito TecnologíaLeer la nota original
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